최신 Photo 공정

차세대 Photo 공정 개발 사항

1. ArF 노광 공정은 30mm대 Line & Width(선폭) 구현을 멀티 패터닝 공정을 이용하여 선폭을 1/4 이하까지 줄일 수는 있지만, 그 이하 더 작은 선폭 구현은 어렵다

2. EUV(Extreme Ultraviolet)는 X-Ray와 DUV(Deep Ultraviolet) 사이의 파장대의 자외선을 광원으로 사용하는 방식으로 EUV 기술이 발전하여 상용화되면 ArF의 멀티 패터닝을 대체할 것이며 10nm이하의 선폭 구현이 가능할 것이다.

3. 차세대 포토 기술로는 마스크를 이용하는 리소그래피(Lithography)와 마스크를 사용하지 않는 리소레스그래피(Litholessgraphy) 기술이 있다.

 

EUV란?

EUV의 파장은 13.5nm이다.

EUV를 발생시키는 방법은 Laser Produced Plasma(LPP)와 Discharge Produced Plasma(DPP) 두 가지 방식이 있는데 현재는 LPP 방식이 주로 사용된다.

 

기존 ArF와 차이점

ArF의 해상도(Resolution)은 38nm 정도이고, EUV의 해상도는 13mm 정도이다.

광원에 따른 선폭의 구현

 

EUV 기술의 한계

ArF에서 EUV로 바뀌면서 장비의 구조적인 문제로 발생하는데 ArF 장비 대비 시간당 웨이퍼 처리량이 절반 수준으로 생산성이 떨어지는 문제점이 있다.