MIM Capacitor Process Flow

수업 중 실습했던 MIM Capacitor Process Flow를 한 번 정리해보려고 한다.

 

1. Wafer는 Si Wafer(150mm, P Type, <100>)를 사용한다.

 

2. Wafer를 Wet Station에서 DI Water과 IPA로 Cleaning을 해준다.

 

3. Furnace에서 Wet Oxidation으로 SiO2를 성장시킨다.

 

4. Process이 끝난 Wafer를 꺼내어 Ellipsometer로 측정을 한다.

 

5. 다시 한 번 Cleaning을 해준다.

 

6. DC Sputtering으로 Aluminum 박막을 Deposition한다.

 

7. 4-Point-Probe로 표면저항을 측정해 박막의 Thickness를 계산한다.

 

8. Process가 시작과 끝은 Cleaning이다.

 

9. Yellow Room에서 Photo Lithography를 해보자.

 

10. 먼저 AZ-5214-E Photo Resist를 Spin Coating 해주자.

 

11. Coating이 끝난 Wafer를 Hot Plate에서 Soft Bake를 해준다.

 

12. Wafer를 한 김 식혀주고.

 

13. Contact Aligner에 올린 후 Exposure를 진행한다.

 

14. AZ-5214-E Photo Resist는 Reversal Bake가 필요하니, 한 번 더 Bake를 해준다.

 

15. Reversal Bake가 끝난 Wafer를 Cooling해준다.

 

16. 한 번 더 Exposure를 해주고

 

17. AZ 300 Developer에 넣고 Develop 시켜준다.

 

18. Surface Profiler로 Photo Resist의 Thickness를 측정해주고, Microscope로 CD를 측정한다.

 

19. 다시 Cleaning.

 

20. RF Sputtering으로 SiO2를 Deposition하고,

 

21. 곧바로 DC Sputtering으로 Al을 한 번 더 Deposition 해준다.

 

22. Wet Station에서 Acetone을 이용해 PR을 제거한다(Lift Off).

 

23. 최종적인 소자를 Surface Profiler와 Microscope로 측정한다.

 

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Process Flow는 여기서 끝이며, 결과는 차차 업데이트할 예정이다.