Wet Oxidation 결과 및 레시피

공정 Recipe

팀원 별 측정 결과

T, C, B, L, R

강덕민의 Ellipsometer 측정 결과

 

T, C, B, L, R

팀원 1의 측정 결과

T, C, B, L, R

팀원 2의 측정 결과

T, C, B, L, R

팀원 3의 측정 결과

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4000Å(400nm) Recipe를 통해 공정을 진행했지만, 400nm에 조금 못미치는 393.38 ~ 393.99nm가

측정되었다.

 

같이 공정을 돌렸던 웨이퍼들 중에 Center에 위치한 웨이퍼 인 것 같다.

 

Uniformity는 (Max-Min*100)/2*AVE로 계산하면 된다.

 

다음 공정은 Sputter를 이용한 Deposition이다.

 

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SiO2(395.35nm, 3953.5Å)

Si

현재 공정 상황 단면도이다.