반응형 전공자료25 회사 지원 기록 1. 램리서치 코리아테크놀로지센터 테크니션 2023.05.23. 이력서 제출 2023.06.12. 서류전형 합격 2023.06.14. 온라인 인적성 검사 2023.06.23. 온라인 1차 면접 2023.06.30. 불합격 통보 탈락 이유(개인적인 생각) : 애매한 학점 2. 온세미컨덕터코리아 공정 테크니션 2023.06.28. 이력서 제출 2023.07.17. 서류전형 합격 2023.07.21. 현장 1차 면접 3. DB하이텍 장비 엔지니어 2023.07.26. 이력서 제출 2023.07.31. 서류전형 불합격 탈락이유(개인적인 생각) : 무경력? 신입 공고 지원서에는 경력 넣는 칸 다 지워야한다고 생각함; 4. 덕산네오룩스 소자개발보조 2023.08.09. 이력서 제출 2023/08/10. 서류전형 합.. 2023. 8. 8. Insulator & Metal Deposition Inspection Photo Lithography 공정을 마치고 Insulator인 SiO2와 Metal인 Al을 증착해보자 Lift Off 공정을 한 번에 진행할 예정이라 SiO2 Deposition을 마치고 Wafer를 Chamber 내에 그대로 놔둔 후 공정 Recipe만 변경해 Al을 DC Spittering으로 Deposition 했다. SiO2 Deposition 공정 Recipe Start Pressure 5.00E-6 Torr Z-Motion 1.00 mm Operating Pressure 5.0 mTorr Ar Gas 10 sccm RF Power 230.0 W Operating Time 2400 sec Substrate Rotation Control 5.0 rpm 목표두께 1500Å 공정 Recipe는 .. 2023. 6. 5. Photo Lithography Inspection Photo Lithography(Mask 2) Pre Cleaning DI-Water Spin Coating Spin Coating Time RPM Step 1 10 sec 200 Step 2 10 sec 2000 Soft Bake Temp Time 100 ℃ 60 sec Exposure Time 1st 20 sec Flood Exposure 35sec Reveral Bake Temp Time 100℃ 60 sec Develop 60 sec Cooling Bake 후 각 90 sec 목표 두께 15000Å Al Thin Film DC Sputtering이 끝난 후 Photo Lithography를 해보자. 공정 Recipe는 이렇고 사용한 장비는 Contact Aligner, Hot Plate, Spin.. 2023. 6. 3. Al Thin Film DC Sputtering Inspection Al Depsition 공정 Recipe Start Pressure 5.00E-6 Torr Z-Motion 1.00 mm Operating Pressure 5.0 mTorr Ar Gas 10 sccm DC Power 700.0 W Operating Time 180 sec Substrate Rotation Control 5.0 rpm 목표 두께 1500Å 현재의 단면도이다. Al은 Ellipsometer로 측정할 수 없기에 4-Point-Probe를 이용해 표면저항을 측정 후 계산해 박막의 두께를 알 수 있다. 표면저항 : 1105352.200 ohm/sq Al의 비저항 : 2.65 보정계수 : 4.53 Thin Film Thickness = 2.65 / 1105352.200 = 2.39743E-06이므로.. 2023. 6. 2. 이전 1 2 3 4 ··· 7 다음 반응형
