반응형 전공자료25 MIM Capacitor Process Flow 수업 중 실습했던 MIM Capacitor Process Flow를 한 번 정리해보려고 한다. 1. Wafer는 Si Wafer(150mm, P Type, )를 사용한다. 2. Wafer를 Wet Station에서 DI Water과 IPA로 Cleaning을 해준다. 3. Furnace에서 Wet Oxidation으로 SiO2를 성장시킨다. 4. Process이 끝난 Wafer를 꺼내어 Ellipsometer로 측정을 한다. 5. 다시 한 번 Cleaning을 해준다. 6. DC Sputtering으로 Aluminum 박막을 Deposition한다. 7. 4-Point-Probe로 표면저항을 측정해 박막의 Thickness를 계산한다. 8. Process가 시작과 끝은 Cleaning이다. 9. Yell.. 2023. 5. 26. 최신 Etch 공정 기술 Hard Mask를 이용한 식각 공정 최근 박막의 높이가 높아지고 선폭이 작아짐에 따라 일반적인 식각 기술로는 한계에 다다르면서 Hard Mask 공정을 이용해 식각을 한다. (Silicon-Oxide, Silicon-Nitride, ACL) 2023. 5. 17. 식각 용어 및 고려사항 식각률(Etch Rate) 식각 속도를 말하며, 단위 시간당 식각하고자 하는 박막의 두께 변화율을 말한다. 식각 선택비(Etch Selectivity) 서로 다른 종류의 박막을 동일한 조건으로 식각을 할 때 각각의 박막에 대한 식각의 상대적인 비이다. 1분간 식각 후 위의 그림과 같이 나왔을 때, SiO2의 식각률은 500A/min이고, PR과 SiO2의 식각비는 500A : 200A로 나타낼 수 있다. 식각 바이어스(Etch Bias) Photo 공정을 거친 감광막 선폭의 크기에 대해 식각공정을 진행한 다음의 선폭 크기의 차이이다. Etch Bias = DICD - FICD DICD는 Development Inspection Critical Dimension(현상 후 선폭의 크기)이고, FICD는 Fi.. 2023. 5. 17. Etch 공정의 이해 Etch(식각) 공정이란? 감광막의 패턴대로 산화막이나 금속막 같은 하부막을 가공하는 공정으로, 마스크를 사용하여 웨이퍼의 특정 지역을 패터닝했을 때 PR에 의해 가려지지 않는 부분을 선택적으로 제거하는 공정으로, 습식식각과 건식식각으로 구분된다. 습식식각이란? 특정한 화학 용액(Chemical)을 사용하여 화학반응으로 불필요한 막을 제거하는 공정. Layer 별 Wet Etch 1. 산화막(Oxide) ㄱ. 용액 : HF(불산) + NH4F(Buffered Oxide Etchant : BOE) ㄴ. 반응 : SiO2 + 6HF → H2 + SiF6 + 2H2O 2. 폴리실리콘(Poly Silicon) ㄱ. 용액 : HNO3(질산) + HF(불산) + CH3COOH(초산) ㄴ. 반응 : Si + HNO3.. 2023. 4. 9. 이전 1 2 3 4 5 ··· 7 다음 반응형
