반응형 전공자료25 MOSFET 정리 2023. 3. 25. 웨이퍼 가공 공정 다결정 실리콘 규사(SiO2)를 환원 반응을 이용하여 약 99% 순도의 실리콘을 얻은 후, 물리적 또는 증기 화학적 정제 방법을 이용하여 고순도 다결정 실리콘 덩어리를 얻는다. 단결정 성장 초크랄스키(Czochralski) 방법에 의해 초고순도 폴리실리콘을 단결정 실리콘으로 만드는 공정이다. 단결정 덩어리인 잉곳은 지름의 크기에 따라 200[mm], 300[mm]로 구분된다. 200[mm] 실리콘 웨이퍼 이상의 단결정 잉곳 제조 시간은 48시간 이상 걸리기도 한다. 또 다른 단결정을 만드는 방법으로는 부유 대역(Floating Zone) 방법이 있다. 연삭(Grinding) 및 자르기(Cropping) 성장된 잉곳에 대해 둥근 원통 모양으로 일정한 지름을 갖도록 다이아몬드 연삭기(Diamond Wheel.. 2023. 3. 24. 단결정 성장 단결정 성장 방법 실리콘은 주로 규석이나 규산염의 형태로 존재하는데, 규석을 코크(Coak or Coal)와 같은 환원제와 함께 전기로에 넣어서 용융 후에 화학 처리를 해 분말형태의 순도 99%의 실리콘이 정제된다. 분말 실리콘을 가스 형태로의 실리콘으로 바꿔 열처리를 하면 고순도 99.999999999%의 다결정 실리콘을 얻게 되는데, 웨이퍼로 사용되는 Si 기판은 단결정 실리콘이어야 하므로 물리적인 정제 방법을 통해 다결정 실리콘을 다결정 실리콘으로 변환시켜야 한다. 초크랄스키 방법(Czochralski Method) 용융된 실리콘 용액으로부터 단결정(Single Crystal) 실리콘을 성장시키는 방법이다. 결정을 끌어올리면서 성장시켜 인상법이라고 부르기도 한다. 1) 도가니 속에 다결정 실리콘 덩.. 2023. 3. 23. 결정구조 고체 물질은 내부 구조에 따라 결정체(Crystal)와 비정질(Amorphous)로 나누어지며, 결정체는 단결정과 다결정으로 구분된다. 단결정(Single Crystal)은 원자의 규칙적인 배열이 고체 전체에 균일하게 이루어져 있는 경우. 다결정(Poly Crystal)은 부분적으로 결정을 이루지만 전체적으로는 균일한 결정이 아닌 경우를 말하며, 금속 대부분은 다결정이다. 비정질은 분자가 무작위로 배열되어 규칙적이지 않은 경우를 말하며 유리는 비정질 구조. 결정구조에서 격자(Lattice)는 결정을 이루고 있는 원자 또는 분자의 규칙적인 배열이며 이는 하나의 입체적인 단위 셀(Unit Cell)로 구성된다. 반도체 물질로 사용되는 Si, Ge, GaAs 등의 결정은 입방(Cubic) 구조로 이루어져 있고.. 2023. 3. 22. 이전 1 2 3 4 5 6 7 다음 반응형
