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전공자료25

최신 Photo 공정 차세대 Photo 공정 개발 사항 1. ArF 노광 공정은 30mm대 Line & Width(선폭) 구현을 멀티 패터닝 공정을 이용하여 선폭을 1/4 이하까지 줄일 수는 있지만, 그 이하 더 작은 선폭 구현은 어렵다 2. EUV(Extreme Ultraviolet)는 X-Ray와 DUV(Deep Ultraviolet) 사이의 파장대의 자외선을 광원으로 사용하는 방식으로 EUV 기술이 발전하여 상용화되면 ArF의 멀티 패터닝을 대체할 것이며 10nm이하의 선폭 구현이 가능할 것이다. 3. 차세대 포토 기술로는 마스크를 이용하는 리소그래피(Lithography)와 마스크를 사용하지 않는 리소레스그래피(Litholessgraphy) 기술이 있다. EUV란? EUV의 파장은 13.5nm이다. EUV를 발생시키는.. 2023. 4. 8.
Mask 제조 기술 Mask 제작 Mask 제작 순서도 PR 코팅 순서와 유사하다. Field Polarity Positive PR을 사용하는 조건에서 필드 다크(Field Dark) 마스크는 패턴을 그린 부분이 크롬이 없어 감광막 공정 시 감광막이 제거되는 지역 필드 클리어(Field Clear) 마스크는 패턴을 그린 부분이 크롬이 있어 감광막 공정 시 감광막이 남아 있게 되는 마스크이다. OPC 포토 공정 중 노광 단계에서 패턴이 새겨진 마스크에 빛이 투과될 때 패턴의 기하학적 모양에 따라 초점의 깊이, 에너지 및 빛의 회절 현상 등에 따라 변수가 발생하게 되는데, 이로 인해 원래의 마스크 패턴과 조금 다르게 패터닝 된다. 이러한 현상을 해결하기 위해 OPC 기법을 통해 원래의 패턴에 가깝게 PR이 형성되도록 마스크 레.. 2023. 4. 7.
Wet Oxidation 결과 및 레시피 강덕민의 Ellipsometer 측정 결과 팀원 1의 측정 결과 팀원 2의 측정 결과 팀원 3의 측정 결과 4000Å(400nm) Recipe를 통해 공정을 진행했지만, 400nm에 조금 못미치는 393.38 ~ 393.99nm가 측정되었다. 같이 공정을 돌렸던 웨이퍼들 중에 Center에 위치한 웨이퍼 인 것 같다. Uniformity는 (Max-Min*100)/2*AVE로 계산하면 된다. 다음 공정은 Sputter를 이용한 Deposition이다. SiO2(395.35nm, 3953.5Å) Si 현재 공정 상황 단면도이다. 2023. 3. 28.
Photo 공정의 이해 Photo 공정이란 설계된 회로에 패턴을 웨이퍼에 만다는 공정으로, 미세한 패턴을 결정하는 데 가장 중요한 공정이다. 포토 레지스트(Photo Resist) 포토 레지스트는 반도체 소자의 패턴을 미세하게 가공하는데 사용되는 감광막으로서 빛 또는 전자선 등의 조사에 의해 물리 화학적으로 변화하여 현상 용액에 대한 용해성이 변화하는 내식각성 피막 재료이다. 다중체(Polymer, 레진), 감응제(Sensitizer), 용매(Solvent), 첨가제(additives)으로 구성되어 있다. 빛을 받은 부분이 제거되는 Positive PR과 빛을 받은 부분이 남는 Negative PR로 구분된다. 산업체에서는 대부분이 Positive PR을 사용한다. 마스크(Mask) 하나의 칩을 생성하기 위해서는 층(Layer.. 2023. 3. 27.
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