Insulator & Metal Deposition Inspection

Photo Lithography 공정을 마치고 Insulator인 SiO2와 Metal인 Al을 증착해보자

Lift Off 공정을 한 번에 진행할 예정이라 SiO2 Deposition을 마치고

Wafer를 Chamber 내에 그대로 놔둔 후 공정 Recipe만 변경해 Al을 DC Spittering으로 Deposition 했다.

SiO2 Deposition
공정 Recipe	Start Pressure	5.00E-6 Torr
	Z-Motion	1.00 mm
	Operating Pressure	5.0 mTorr
	Ar Gas	10 sccm
	RF Power	230.0 W
	Operating Time	2400 sec
	Substrate Rotation Control	5.0 rpm
목표두께	1500Å

공정 Recipe는 이렇고, RF Sputtering을 사용해 Deposition한 후,

Al Deposition
공정 Recipe	Start Pressure	5.00E-6 Torr
	Z-Motion	1.00 mm
	Operating Pressure	5.0 mTorr
	Ar Gas	10 sccm
	DC Power	700.0 W
	Operating Time	180 sec
	Substrate Rotation Control	5.0 rpm
목표두께	1500Å

곧바로 DC Sputtering으로 Al박막을 Deposition했다.

 

공정이 끝나고 Lift Off 공정을 한 후 Final Thickness Inspection을 했다.

 

 

Final Thickness와 CD를 측정했는데

Thickness의

Average : 4271.18Å

Max : 4429.24Å

Min : 4110.30Å

Uniformity : 3.73%

로 나왔고

CD의

Average : 88557.54μm^2

Max : 90455.83μm^2

Min : 87317.24μm^2

Uniformity : 1.77%

로 측정되었다.

 

MIM 소자의 최종 단면이다