Photo Lithography Inspection

Photo Lithography(Mask 2)
Pre Cleaning	DI-Water
Spin Coating	Spin Coating	Time		RPM
	Step 1	10 sec		200
	Step 2	10 sec		2000
Soft Bake	Temp		Time
	100 ℃		60 sec
Exposure Time	1st 20 sec Flood Exposure  35sec
Reveral Bake	Temp		Time
	100℃		60 sec
Develop	60 sec
Cooling	Bake 후 각 90 sec
목표 두께	15000Å

 

Al Thin Film DC Sputtering이 끝난 후 Photo Lithography를 해보자.

 

공정 Recipe는 이렇고

 

사용한 장비는 Contact Aligner, Hot Plate, Spin Coat, Scrubber, Wet Station이고,

사용한 재료는 Photo Mask, Acetone, Developer, AZ 5214-E Photo Resist, DI Water이다.

 

 

Thickness의 평균은 13,611.63Å이다.

목표 Target인 15,000Å에 미치지는 못하였다.

 

Photo Lithography를 마치고 난 후의 단면도이다.